IXTP110N12T2 - 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

IXTP110N12T2

Interne Teilenummer

ABC-IXTP110N12T2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

178120 Pieces

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Technische Daten für IXTP110N12T2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTP110N12T2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Serie : TrenchT2™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6570pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 517W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTP110N12T2

Datenblätter : IXTP110N12T2.pdf

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