SISS46DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

Hersteller Teilenummer

SISS46DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SISS46DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SISS46DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SISS46DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2140pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SISS4 , SISS46D

Dokumente für SISS46DN-T1-GE3

Datenblätter : SISS46DN-T1-GE3.pdf

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