IRFDC20 - MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

Hersteller Teilenummer

IRFDC20

Interne Teilenummer

ABC-IRFDC20

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

102816 Pieces

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Technische Daten für IRFDC20

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFDC20

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 320mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IR , IRF

Dokumente für IRFDC20

Datenblätter : IRFDC20.pdf

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