SIA777EDJ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Hersteller Teilenummer

SIA777EDJ-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIA777EDJ-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIA777EDJ-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIA777EDJ-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V, 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 5W, 7.8W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIA77 , SIA777ED

Dokumente für SIA777EDJ-T1-GE3

Datenblätter : SIA777EDJ-T1-GE3.pdf

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