VS-8EWS10STRR-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller Teilenummer

VS-8EWS10STRR-M3

Interne Teilenummer

ABC-VS-8EWS10STRR-M3

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1338743 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für VS-8EWS10STRR-M3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VS-8EWS10STRR-M3

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package : D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VS-8E , VS-8EWS1

Dokumente für VS-8EWS10STRR-M3

Datenblätter : VS-8EWS10STRR-M3.pdf

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