PHM25NQ10T,518 - MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

Hersteller Teilenummer

PHM25NQ10T,518

Interne Teilenummer

ABC-PHM25NQ10T,518

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PHM25NQ10T,518

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHM25NQ10T,518

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HVSON (6x5)

Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PHM25NQ10T,518

Datenblätter : PHM25NQ10T,518.pdf

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