SI3433CDV-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Hersteller Teilenummer

SI3433CDV-T1-E3

Interne Teilenummer

ABC-SI3433CDV-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3297147 Pieces

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Technische Daten für SI3433CDV-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI3433CDV-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-TSOP

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI343 , SI3433C

Dokumente für SI3433CDV-T1-E3

Datenblätter : SI3433CDV-T1-E3.pdf

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