TK17E65W,S1X - MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

TK17E65W,S1X

Interne Teilenummer

ABC-TK17E65W,S1X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TK17E65W,S1X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK17E65W,S1X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 900µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK17E65W,S1X

Datenblätter : TK17E65W,S1X.pdf

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