IXTP1R4N120P - MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Hersteller Teilenummer

IXTP1R4N120P

Interne Teilenummer

ABC-IXTP1R4N120P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

213927 Pieces

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Technische Daten für IXTP1R4N120P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTP1R4N120P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Serie : Polar™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 86W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTP1R4N120P

Datenblätter : IXTP1R4N120P.pdf

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