LL4006G L0 - DIODE GEN PURP 800V 1A MELF

Hersteller Teilenummer

LL4006G L0

Interne Teilenummer

ABC-LL4006G L0

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 1A MELF

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8560860 Pieces

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Technische Daten für LL4006G L0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : LL4006G L0

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A MELF

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-213AB, MELF

Supplier Device Package : MELF

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für LL4006G L0

Datenblätter : LL4006G L0.pdf

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