SI8800EDB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Hersteller Teilenummer

SI8800EDB-T2-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8800EDB-T2-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

3790227 Pieces

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Technische Daten für SI8800EDB-T2-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8800EDB-T2-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-Microfoot

Paket / fall : 4-XFBGA, CSPBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI880 , SI8800E

Dokumente für SI8800EDB-T2-E1

Datenblätter : SI8800EDB-T2-E1.pdf

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