MBR600200CTR - DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hersteller Teilenummer

MBR600200CTR

Interne Teilenummer

ABC-MBR600200CTR

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

37179 Pieces

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Technische Daten für MBR600200CTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MBR600200CTR

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode

Diodentyp : Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3mA @ 200V

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Twin Tower

Supplier Device Package : Twin Tower

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für MBR600200CTR

Datenblätter : MBR600200CTR.pdf

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