ISL9R860PF2 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für ISL9R860PF2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ISL9R860PF2
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
Serie : Stealth™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : TO-220F-2L
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : ISL , ISL9R

Dokumente für ISL9R860PF2

Datenblätter : ISL9R860PF2.pdf

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