BYG10MHE3_A/I - DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller Teilenummer

BYG10MHE3_A/I

Interne Teilenummer

ABC-BYG10MHE3_A/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BYG10MHE3_A/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BYG10MHE3_A/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 4µs

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AC, SMA

Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BYG1 , BYG10M

Dokumente für BYG10MHE3_A/I

Datenblätter : BYG10MHE3_A/I.pdf

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