BSO615CT - MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

BSO615CT

Interne Teilenummer

ABC-BSO615CT

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BSO615CT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSO615CT

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : PG-DSO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BS , BSO6

Dokumente für BSO615CT

Datenblätter : BSO615CT.pdf

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