RJK0629DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

Hersteller Teilenummer

RJK0629DPE-00#J3

Interne Teilenummer

ABC-RJK0629DPE-00#J3

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

87776 Pieces

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Technische Daten für RJK0629DPE-00#J3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK0629DPE-00#J3

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 85A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-LDPAK

Paket / fall : SC-83

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RJK0629DPE-00#J3

Datenblätter : RJK0629DPE-00#J3.pdf

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