DMG4N65CTI - MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller Teilenummer

DMG4N65CTI

Interne Teilenummer

ABC-DMG4N65CTI

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

533358 Pieces

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Technische Daten für DMG4N65CTI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG4N65CTI

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 8.35W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ITO-220AB

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG4N65CTI

Datenblätter : DMG4N65CTI.pdf

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