IRFI640G - MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Hersteller Teilenummer

IRFI640G

Interne Teilenummer

ABC-IRFI640G

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

100824 Pieces

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Technische Daten für IRFI640G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFI640G

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFI640G

Datenblätter : IRFI640G.pdf

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