SIE830DF-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Hersteller Teilenummer

SIE830DF-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIE830DF-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

47616 Pieces

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Technische Daten für SIE830DF-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIE830DF-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Serie : WFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5.2W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 10-PolarPAK® (S)

Paket / fall : 10-PolarPAK® (S)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIE83 , SIE830D

Dokumente für SIE830DF-T1-GE3

Datenblätter : SIE830DF-T1-GE3.pdf

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