IPD60R650CEATMA1 - MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller Teilenummer

IPD60R650CEATMA1

Interne Teilenummer

ABC-IPD60R650CEATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

85760 Pieces

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Technische Daten für IPD60R650CEATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD60R650CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Serie : CoolMOS™ CE

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD60 , IPD60R65

Dokumente für IPD60R650CEATMA1

Datenblätter : IPD60R650CEATMA1.pdf

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