GA100JT12-227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Hersteller Teilenummer

GA100JT12-227

Interne Teilenummer

ABC-GA100JT12-227

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

87584 Pieces

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Technische Daten für GA100JT12-227

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GA100JT12-227

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : -

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 535W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für GA100JT12-227

Datenblätter : GA100JT12-227.pdf

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