2N7002ET1G - MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

Hersteller Teilenummer

2N7002ET1G

Interne Teilenummer

ABC-2N7002ET1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

18049346 Pieces

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Technische Daten für 2N7002ET1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N7002ET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 260mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.81nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 26.7pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300mW (Tj)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2N7 , 2N700

Dokumente für 2N7002ET1G

Datenblätter : 2N7002ET1G.pdf

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