GPAS1006 MNG - DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Hersteller Teilenummer

GPAS1006 MNG

Interne Teilenummer

ABC-GPAS1006 MNG

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2508226 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für GPAS1006 MNG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GPAS1006 MNG

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für GPAS1006 MNG

Datenblätter : GPAS1006 MNG.pdf

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