DMN3190LDW-13 - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller Teilenummer

DMN3190LDW-13

Interne Teilenummer

ABC-DMN3190LDW-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8350125 Pieces

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Technische Daten für DMN3190LDW-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3190LDW-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V

Leistung max : 320mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN3 , DMN319

Dokumente für DMN3190LDW-13

Datenblätter : DMN3190LDW-13.pdf

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