TK6Q60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

Hersteller Teilenummer

TK6Q60W,S1VQ

Interne Teilenummer

ABC-TK6Q60W,S1VQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK6Q60W,S1VQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK6Q60W,S1VQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 820 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 310µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 300V

FET-Funktion : Super Junction

Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK6Q60W,S1VQ

Datenblätter : TK6Q60W,S1VQ.pdf

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