TK28N65W,S1F - MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

Hersteller Teilenummer

TK28N65W,S1F

Interne Teilenummer

ABC-TK28N65W,S1F

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK28N65W,S1F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK28N65W,S1F

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.6mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK28N65W,S1F

Datenblätter : TK28N65W,S1F.pdf

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