APT11N80BC3G - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller Teilenummer

APT11N80BC3G

Interne Teilenummer

ABC-APT11N80BC3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

123648 Pieces

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Technische Daten für APT11N80BC3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT11N80BC3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1585pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247 [B]

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für APT11N80BC3G

Datenblätter : APT11N80BC3G.pdf

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