FDB28N30TM - MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Hersteller Teilenummer

FDB28N30TM

Interne Teilenummer

ABC-FDB28N30TM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

503895 Pieces

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Technische Daten für FDB28N30TM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB28N30TM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Serie : UniFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 129 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDB , FDB28

Dokumente für FDB28N30TM

Datenblätter : FDB28N30TM.pdf

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