ISL9R3060G2 - DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für ISL9R3060G2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ISL9R3060G2
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Serie : Stealth™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 45ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-2
Supplier Device Package : TO-247-2
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : ISL , ISL9R

Dokumente für ISL9R3060G2

Datenblätter : ISL9R3060G2.pdf

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