CDBJSC5650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Hersteller Teilenummer

CDBJSC5650-G

Interne Teilenummer

ABC-CDBJSC5650-G

Hersteller

Comchip Technology

Kurze Beschreibung

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

265034 Pieces

Referenzpreis

~~USD 1.235~~

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Technische Daten für CDBJSC5650-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CDBJSC5650-G

Hersteller : Comchip Technology

Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A

Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 0ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-220-2 Full Pack

Supplier Device Package : TO-220F

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : CDBJ , CDBJSC

Dokumente für CDBJSC5650-G

Datenblätter : CDBJSC5650-G.pdf

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