STH275N8F7-2AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

Hersteller Teilenummer

STH275N8F7-2AG

Interne Teilenummer

ABC-STH275N8F7-2AG

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

230734 Pieces

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Technische Daten für STH275N8F7-2AG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STH275N8F7-2AG

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

Serie : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 315W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : H2Pak-2

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STH275N8F7-2AG

Datenblätter : STH275N8F7-2AG.pdf

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