IRF630NS - MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Hersteller Teilenummer

IRF630NS

Interne Teilenummer

ABC-IRF630NS

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF630NS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF630NS

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 575pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 82W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRF630NS.pdf

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