DMN10H170SK3Q-13 - MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Hersteller Teilenummer

DMN10H170SK3Q-13

Interne Teilenummer

ABC-DMN10H170SK3Q-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMN10H170SK3Q-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN10H170SK3Q-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN10H170SK3Q-13

Datenblätter : DMN10H170SK3Q-13.pdf

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