RQ3E120BNTB - MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Hersteller Teilenummer

RQ3E120BNTB

Interne Teilenummer

ABC-RQ3E120BNTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4354161 Pieces

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Technische Daten für RQ3E120BNTB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ3E120BNTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSMT (3.2x3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : RQ3E120BNTB.pdf

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