SI4590DY-T1-GE3 - MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

Hersteller Teilenummer

SI4590DY-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI4590DY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1595965 Pieces

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Technische Daten für SI4590DY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4590DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V

Leistung max : 2.4W, 3.4W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI459 , SI4590D

Dokumente für SI4590DY-T1-GE3

Datenblätter : SI4590DY-T1-GE3.pdf

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