FCPF190N65FL1 - MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Hersteller Teilenummer

FCPF190N65FL1

Interne Teilenummer

ABC-FCPF190N65FL1

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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Technische Daten für FCPF190N65FL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCPF190N65FL1

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Serie : SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3055pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 39W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FCPF190N65FL1.pdf

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