PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Hersteller Teilenummer

PMWD19UN,518

Interne Teilenummer

ABC-PMWD19UN,518

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PMWD19UN,518

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMWD19UN,518

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1478pF @ 10V

Leistung max : 2.3W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Supplier Device Package : 8-TSSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PMWD , PMWD19

Dokumente für PMWD19UN,518

Datenblätter : PMWD19UN,518.pdf

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