DMN10H099SFG-7 - MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Hersteller Teilenummer

DMN10H099SFG-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN10H099SFG-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN10H099SFG-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN10H099SFG-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1172pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 980mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN10H099SFG-7.pdf

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