MURTA600120 - DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Hersteller Teilenummer

MURTA600120

Interne Teilenummer

ABC-MURTA600120

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

34221 Pieces

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Technische Daten für MURTA600120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MURTA600120

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 300A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Three Tower

Supplier Device Package : Three Tower

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für MURTA600120

Datenblätter : MURTA600120.pdf

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