TK14E65W,S1X - MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

Hersteller Teilenummer

TK14E65W,S1X

Interne Teilenummer

ABC-TK14E65W,S1X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK14E65W,S1X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK14E65W,S1X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 690µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 130W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK14E65W,S1X.pdf

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