PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Hersteller Teilenummer

PMXB65UPEZ

Interne Teilenummer

ABC-PMXB65UPEZ

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für PMXB65UPEZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMXB65UPEZ

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DFN1010D-3

Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PMXB65UPEZ

Datenblätter : PMXB65UPEZ.pdf

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