ZXMN6A08GQTC - MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller Teilenummer

ZXMN6A08GQTC

Interne Teilenummer

ABC-ZXMN6A08GQTC

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFETN-CH 60VSOT223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1494696 Pieces

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Technische Daten für ZXMN6A08GQTC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN6A08GQTC

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFETN-CH 60VSOT223

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 459pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN6A

Dokumente für ZXMN6A08GQTC

Datenblätter : ZXMN6A08GQTC.pdf

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