IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Hersteller Teilenummer

IRF9Z34NLPBF

Interne Teilenummer

ABC-IRF9Z34NLPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

103816 Pieces

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Technische Daten für IRF9Z34NLPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF9Z34NLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF9 , IRF9Z3

Dokumente für IRF9Z34NLPBF

Datenblätter : IRF9Z34NLPBF.pdf

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