IRF6629TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Hersteller Teilenummer

IRF6629TR1PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRF6629TR1PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF6629TR1PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6629TR1PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29A (Ta), 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4260pF @ 13V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ MX

Paket / fall : DirectFET™ Isometric MX

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRF6629TR1PBF.pdf

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