SQJ912AEP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Hersteller Teilenummer

SQJ912AEP-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQJ912AEP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1069313 Pieces

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Technische Daten für SQJ912AEP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ912AEP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1835pF @ 20V

Leistung max : 48W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQJ91 , SQJ912AE

Dokumente für SQJ912AEP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ912AEP-T1_GE3.pdf

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