APTGTQ100DDA65T3G - POWER MODULE - IGBT

Hersteller Teilenummer

APTGTQ100DDA65T3G

Interne Teilenummer

ABC-APTGTQ100DDA65T3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

POWER MODULE - IGBT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

60064 Pieces

Referenzpreis

~~USD 24.891~~

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Technische Daten für APTGTQ100DDA65T3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTGTQ100DDA65T3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER MODULE - IGBT

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : -

Aufbau : Dual Boost Chopper

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A

Leistung max : 250W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : SP3F

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTGT , APTGTQ10

Dokumente für APTGTQ100DDA65T3G

Datenblätter : APTGTQ100DDA65T3G.pdf

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