SIS780DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Hersteller Teilenummer

SIS780DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIS780DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIS780DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIS780DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 722pF @ 15V

FET-Funktion : Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.) : 27.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIS78 , SIS780D

Dokumente für SIS780DN-T1-GE3

Datenblätter : SIS780DN-T1-GE3.pdf

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