PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Hersteller Teilenummer

PSMN8R5-108ESQ

Interne Teilenummer

ABC-PSMN8R5-108ESQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

46150 Pieces

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Technische Daten für PSMN8R5-108ESQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PSMN8R5-108ESQ

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 108V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5512pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 263W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PSMN , PSMN8R5

Dokumente für PSMN8R5-108ESQ

Datenblätter : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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