DMT6012LFDF-13 - MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

Hersteller Teilenummer

DMT6012LFDF-13

Interne Teilenummer

ABC-DMT6012LFDF-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMT6012LFDF-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT6012LFDF-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta), 11W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : U-DFN2020-6

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMT6012LFDF-13.pdf

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