TRS12E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Hersteller Teilenummer

TRS12E65C,S1Q

Interne Teilenummer

ABC-TRS12E65C,S1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

68697 Pieces

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~~USD 6.125~~

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Technische Daten für TRS12E65C,S1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TRS12E65C,S1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 12A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 12A

Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 0ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 90µA @ 170V

Kapazität @ Vr, F : 65pF @ 650V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-220-2

Supplier Device Package : TO-220-2L

Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TRS1 , TRS12E

Dokumente für TRS12E65C,S1Q

Datenblätter : TRS12E65C,S1Q.pdf

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